Labing Kasaligan ug Gipalambo sa Kaugalingon TO-247AC SiC Diode

Mubo nga Deskripsyon:

Istruktura sa Pagputos: TO-247AC

Pasiuna: YUNYI TO-247AC SiC Diode gihimo gikan sa silicon carbide materyales. Ang mga SiC diode epektibo nga makapauswag sa density sa kuryente pinaagi sa taas nga thermal conductivity. Ang mas taas nga thermal conductivity mao, ang mas lig-on nga abilidad sa materyal nga mao ang pagpagawas sa kainit ngadto sa palibot; ang gamay nga pagtaas sa temperatura sa aparato, labi ka maayo nga mapauswag ang densidad sa gahum sa aparato sa kuryente. Kini nga bentaha naghimo sa YUNYI's SiC diodes nga mas haum sa pagtrabaho sa taas nga temperatura nga palibot. Ang taas nga breakdown field strength sa SiC diodes nagdugang sa resistensya sa boltahe ug nagpamenos sa gidak-on, ug ang taas nga electronic breakdown field strength nagdugang sa breakdown voltage sa semiconductor power devices. Sa parehas nga oras, tungod sa pagtaas sa kusog sa natad sa pagkaguba sa elektron, sa kaso sa pagdugang sa density sa pagsulod sa kahugawan, ang broadband sa drift nga rehiyon sa SiC diode power device mahimong mapakunhod, aron ang gidak-on sa power device mahimong maminusan.